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采用三维全波电磁场模拟软件HFSS作为分析工具,对八边形差分对称结构电感和单端结构电感进行对比研究,提出利用多层金属并联布线、渐变线宽和图案接地屏蔽(PGS)等结构与差分对称结构集成来提高片上电感性能的设计方案。此方案能与标准硅基CMOS工艺兼容。仿真结果表明,该方案能有效提高集成电感的Q值。
基于CMOS工艺的高Q值集成电感设计
【摘 要】
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采用三维全波电磁场模拟软件HFSS作为分析工具,对八边形差分对称结构电感和单端结构电感进行对比研究,提出利用多层金属并联布线、渐变线宽和图案接地屏蔽(PGS)等结构与差分
【机 构】
：
襄樊学院物电学院,中芯国际集成电路制造有限公司,
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2013年01期
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