Al_xGa_(1-x)A_s和GaA_s材料的物理参数模型

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:luzb2009
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本文较系统和全面地总结了GaA_s和Al_xGa_(1-x)As材料的物理参数模型,包括介电常数、能带参数、载流子迁移率以及复合机制和寿命等,给出了易于应用的数学公式,其中Al_xGa_(1-x)A_s重掺杂能带窄变公式为本文首次推导。这些物理参数模型对于Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结器件的研究有着十分重要的意义。 This paper systematically and comprehensively summarized the physical parameters of GaAs and AlxGa1-xAs materials, including dielectric constant, energy band parameter, carrier mobility, recombination mechanism and lifetime, Mathematical formula, in which Al_xGa_ (1-x) A_s heavy doping band narrow change formula for the first time derived. These physical parameter models are very important for the research of Al_xGa_ (1-x) As / GaAs heterojunction devices.
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