常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质

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用常压MOCVD在蓝宝石(0001)面上生长了氧化锌(znO)薄膜.用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射/沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能.AFM分析结果显示,薄膜呈六角柱状结晶,表面平整,粗糙度(RMS)为6.257 nnl,平均晶粒直径达1.895 μm.室温PL测量该样品在380 nm处有很强的近带边发射,半峰全宽为15 nm.使用Hall测量检查了薄膜的电学性质.室温下该样品的载流子浓度为2×1017 cm-3,迁移率为75
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