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本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中.
难熔金属钼的刻蚀
【摘 要】
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本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中.
【机 构】
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上海交通大学微电子所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1990年10期
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