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采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65%（质量分数wt%,下同）浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构。实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590 nm、489.954 nm。