【摘 要】
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具有有序金属缺位的Zr_3N_4的电子?构?用局域密度泛函(LDF)全电子LMTO方法进行了计算,结果表明,同理想化学比的ZrN相比,Zr_3N_4的?带不出现p-d带隙,同时由于N 2P和Zr 4d之间
【机 构】
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厦门大学物理学系,厦门大学物理学系
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具有有序金属缺位的Zr_3N_4的电子?构?用局域密度泛函(LDF)全电子LMTO方法进行了计算,结果表明,同理想化学比的ZrN相比,Zr_3N_4的?带不出现p-d带隙,同时由于N 2P和Zr 4d之间的耦合,在p-d带之间Fermi能附近出现特征的Zr缺位能?和小态密度峰,导致有序的Zr_3N_4并非理想的绝缘体。
The electronic structure of Zr_3N_4 with ordered metal vacancies was calculated by the all-electron LMTO method with local density functional theory (LDF). The results show that there is no pd band in the Zr_3N_4 band compared with ZrN with the ideal chemical ratio At the same time, due to the coupling between N 2P and Zr 4d, the characteristic Zr vacancy energy and the small state density peak appear near the Fermi energy in the pd band, resulting in the ordered Zr_3N_4 not being an ideal insulator.
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