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为了有效地缓解铝硅材料表面的氦气吸附,保证微波器件密封试验的有效性,针对目前应用得最普遍的去除吸附氦气的方法——高温烘烤法,分析了其缓解氦气吸附的机理,基于Howl-Mann方程研究了高温烘烤对硅铝材料真实漏率的影响;同时分析了不同烘烤温度、不同烘烤时间对缓解硅铝材料表面氦气吸附程度的影响,为研制单位开展密封试验提供了指导,有助于提升国产微波器件封装的质量可靠性。