Zn1—xCdxS三元纳米线的制备及生长机理

来源 :新疆大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bendanban

【摘要】

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本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物，采用化学气相沉积（CVD）法在1100℃条件下，以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成TZn1-xCdxs三元纳米线．扫描电镜（SEM）测试表明合成的Zn1—xCdxS晶体具有线

【作者】

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邹华吴荣孙言飞郑毓峰简基康

【机构】

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新疆大学物理科学与技术学院

【出处】

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新疆大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2009年2期

【关键词】

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Zn1-XCdXS 化学气相沉积纳米线生长机理 Zn1-xCdxS chemical vaper deposition nanowire growth me

【基金项目】

：

新疆大学博士启动基金资助项目（No.BS060110）.

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本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物，采用化学气相沉积（CVD）法在1100℃条件下，以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成TZn1-xCdxs三元纳米线．扫描电镜（SEM）测试表明合成的Zn1—xCdxS晶体具有线状的微观形貌；X射线衍射（XRD）图谱显示产物是六方铅锌矿Zn0．2Cdo．8S；X射线能量色散谱（EDX）给出了Zn和Cd和S的比例为0．1：0．7：1．产物Zn1-xCdxS纳米线的生长机理为气-液-固（VLS）机制，物相形成机制为替位式化合机制，即Zn离子取代CdS中Cd离子化合成三元物相．

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