【摘 要】
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1/f噪声是限制磁阻（MR）传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统（MEMS）的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要
【机 构】
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国防科学技术大学仪器科学与技术系,中国工程物理研究院总体所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（51507178,61671460,11604384）, 国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金资助项目（U1430105）
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1/f噪声是限制磁阻（MR）传感器低频检测能力的重要因素,而基于微机电系统（MEMS）的磁力线调制可使1/f噪声降低两个数量级以上。然而,由磁滞引起的非线性响应是限制其实际应用的主要问题,此外其具有单向响应特性问题。提出了一种双向脉冲磁化方法,可显著降低磁滞,提高MEMS/巨磁阻（GMR）集成磁传感器的线性度。此外,可以通过区分响应差异与双向脉冲磁化来实现双极磁场检测。实验结果表明：双向脉冲磁化可实现91%的磁滞抑制,灵敏度提高15.4%。
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