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通过对磁控溅射条件的优化，制备出了较理想的SmCo（Al，Si）／Cr硬盘磁记录介质。退火处理后又得到较好的硬磁薄膜。结果指出，在Sm含量（摩尔分数）为31．6％，Cr缓冲层为66nm，Sm（Co，Al，Si）５磁性层为30nm的条件下，制得的Sm（Co，Al，Si）５／Cr薄膜的矫顽力Hｃ为187．8kA／m，剩磁比S＝Mｒ／Mｓ≈0.94。在500℃退火25min后，矫顽力Hｃ达到1042．5kA／m，剩磁比S≈0．92。