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近日,微电子所集成电路先导工艺研发中心在阻变存储器（ReRAM）及其与标准CMOS工艺集成研究上取得进展。ReRAM作为新型的非易失性存储技术,具有读写速度快、操作电压低、使用寿命长、尺寸微缩性好及与CMOS工艺兼容性好等优点,一直备受产业界关注。
微电子所成功开发出64Mb阻变存储器晶圆
【摘 要】
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近日,微电子所集成电路先导工艺研发中心在阻变存储器（ReRAM）及其与标准CMOS工艺集成研究上取得进展。ReRAM作为新型的非易失性存储技术,具有读写速度快、操作电压低、使用寿命
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2017年3期
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