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目的 探索足底电击诱导树鼩条件恐惧记忆模型的建立及抹除方法. 方法 测定在无刺激条件下,树鼩在明暗箱中的活动规律;然后用梯度刺激实验测定合适的足底电击电压;最后用合适的电压通过足底电击诱导并建立实验组树鼩条件恐惧记忆模型并抹除其记忆. 结果 正常条件下,树鼩（n=4）在暗箱中的停留时间明显多于明箱中的停留时间（P〈0. 01）;在两明箱中,足底电压梯度刺激实验显示,随着刺激电压的增加,树鼩（n=6）在有刺激的隔间中的停留时间逐渐减少. 12 V以后树鼩在有刺激隔间与无刺激隔间的停留时间差异有统计学意义[1