【摘 要】
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优化直流磁控溅射Ti—Ni—Cu薄膜的制备工艺参数．研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明，经650℃、0．5h退火，
【机 构】
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泸州医学院附院医学分子生物学中心,西安理工大学材料科学与工程学院
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优化直流磁控溅射Ti—Ni—Cu薄膜的制备工艺参数．研究薄膜的组织结构、成分与工艺参数对其的影响规律。采用SEM、TEM、XRD及EMPA对其系统研究分析。结果表明，经650℃、0．5h退火，溅射态的非晶无序结构的Ti—Ni—Cu薄膜完全晶化，获得形状记忆效应。室温下基体组织为立方结构的B2相。溅射薄膜的厚度与时间几乎呈线性变化；而薄膜的沉积速率随着溅射功率的增大而升高，但溅射功率再增大则沉积速率降低；薄膜的成分随溅射功率、工作气压及时间的变化基本一致．不存在成分离散问题。
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