背景 调节性容积回缩(RVD)现象在生物界各种细胞中普遍存在,它不仅与细胞容积的稳定性相关,还参与多种细胞的生理功能和病理过程,但迄今为止,关于晶状体上皮细胞(LECs)的RVD机制研究仍较少. 目的 观察低渗刺激下人LECs系HLE B-3细胞株RVD的过程,并探讨其可能的作用机制及影响因素. 方法 应用氢离子缓冲剂(HEPES)将林格液分别配成质量分数45％、35％、25％和15％的低渗液(实际渗透压分别为165、195、225和255 mOsm/kg),用NaOH将pH值调至7.4或6.8.HLE B-3在含质量分数10％胎牛血清(FBS)的DMEM/F12培养基中进行体外培养,待细胞贴壁后稳定生长时,将HLE B-3细胞置于特制的培养板内,分别用不同质量分数的低渗林格液灌流培养,观察其对细胞RVD的影响.以45％低渗林格液刺激细胞作为对照组,通过Cl-、K+通道阻断剂干预,分别用无HCO3、无Ca2+、无Cl-或高K+林格液灌流改变细胞外液离子成分或酸化溶液pH,在Image-Pro Plus 6.0图像处理软件控制下实现时滞拍摄固定视野内的活细胞图像,分析细胞RVD的动态变化.结果 在低渗刺激下细胞容积膨胀,随后即出现了RVD过程.45％低渗林格液刺激细胞产生RVD为(59.1±7.8)％,随着林格液渗透压的逐渐降低,细胞容积逐渐膨胀,细胞的RVD能力逐渐增强,细胞最大膨胀容积与RVD存在S形正相关(r=0.990,P＜0.05),当细胞最大膨胀容积在115％ ～ 135％时,RVD对其变化敏感.10 mmol/L K+通道阻断剂四乙基氯化铵(TEA)、5 mmol/L BaCl2、100 μmol/L 5-硝基-2(3-苯丙胺),苯甲酸(NPPB)和相同浓度的氯Cl-通道阻断剂二异硫氰基芪-2,2’-二磺酸(DIDS)可分别使RVD减少(16.5±1.6)％、(14.7±2.28)％(P＜0.01).当细胞外液为高K+及无Cl-的环境时,RVD分别减少(5.8±1.6)％和(2.7±0.8)％,差异有统计学意义(P＜0.01),而在无Ca2+条件下,RVD几乎消失.细胞外液为pH6.8时,仅能暂时延缓细胞的RVD过程,而非明显的抑制,尤其是在容积回缩的前10 min内,pH6.8的45％低渗林格液刺激时细胞的RVD速率为(0.86±0.24)％/min,明显低于pH7.4的45％低渗林格液刺激时的RVD速率(3.24±0.84) ％/min,两组间差异有统计学意义(P＜0.05). 结论 低渗刺激下人LECs可产生RVD,细胞内一定量的Ca2+存在是RVD激活的前提,而K+和Cl-是HLE B-3 RVD过程的关键性离子,Cl、K+离子通道则是与细胞容积变化相关性Cl-、K+外流的一个重要途径,同时低渗液的酸化也可以延缓RVD的过程。