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用0.15 μm GaAs增强型赝配高电子迁移率电子管(EPHEMT)工艺研制了一款集功率放大器、低噪声放大器、单刀双掷开关为一体的、可用于5G宽带无线移动通信系统终端的毫米波收发器前端芯片.其中,功率放大器采用电抗匹配技术的两级放大拓扑结构,单刀双掷开关采用正电压控制的对称器件结构,低噪声放大器采用两级最佳噪声兼顾增益的拓扑结构.测试结果表明,24.25～27.5 GHz频带内,芯片发射支路饱和输出功率＞22 dBm,附加效率＞28％;芯片接收支路噪声系数＜3.0 dB,线性增益＞13 dB;芯片收发隔离度优于-20 dB.该芯片面积为2.2 mm×1.8 mm.