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在温度为97℃，水浴回流10h的条件下，用旋涂法在Si（100）基底上，通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间，制备出性能良好的PLZT铁电薄膜，并用精密阻抗分析仪（PIA）对其介电性能进行测试，研究发现：PLZT铁电薄膜未被击穿时，随着测试频率厂的提高电容逐渐减小，而介电损耗会出现突变，在测试频率达到1MHz时，介电损耗一次突变；当PLZT铁电薄膜被击穿时，随着测试频率厂的升高，介电损耗会逐渐增大，在外场频率达到1MHz时开始减小，当膜被击穿后，电感将不可恢复，而材料的电容具有恢复特征