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金属薄膜互连的电迁移现象是VLSI最重要的可靠性问题之一。然而,常规的电迁移评价方法均需要较长的试验周期,而且具有一定的破坏性。近年来发展的1/f~γ噪声检测电迁移的方法以其快速、经济、非破坏性的特点,显示出诱人的应用前景。本文介绍了这一方法的研究现状与展望。
用1/f~γ噪声检测VLSI金属薄膜互连的电迁移
【摘 要】
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金属薄膜互连的电迁移现象是VLSI最重要的可靠性问题之一。然而,常规的电迁移评价方法均需要较长的试验周期,而且具有一定的破坏性。近年来发展的1/f~γ噪声检测电迁移的方法
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所陕西西安,710071,陕西西安,710071
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1993年1期
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