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通过对P25Ti O2光阳极薄膜厚度、敏化的量子点种类及量子点敏化方法研究,探讨了使用连续离子层吸附反应法的敏化方法(SILAR)时,P25Ti O2薄膜厚度与光阳极电子寿命的关系,以及量子点种类、共敏化工艺对光阳极光电性能的影响.采用电化学阻抗(EIS)、开路电压衰减(OCVD)及紫外-可见吸收方法,对影响光阳极光电性能的Ti O2薄膜厚度、量子点种类及共敏化工艺因素进行测试分析.实验结果表明:当光阳极薄膜厚度为12μm时,电子复合几率最小,光阳极的电子寿命相对最长;采用连续离子层吸附反应法(SILAR)对多种量子点共敏化的光阳极(Ti O2/Cd S/Cd Se/Zn S)与单一量子点敏化的光阳极(Ti O2/Cd S)相比,短路电流提高了34%,光转换效率提高了42%;合适的共敏化工艺也有助于提高光阳极的电子寿命、光谱吸收范围和吸收强度.