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围栅（CAA：Gate-All-Around）纳米线场效应晶体管NWFET（Nanowire Field-Effect Transistor）由于其优越的静电沟道控制力、高速电流开／关、更好的抗噪声性能和可利用传统硅制备工艺方法来制备的特性而受到举世关注，然而由于器件尺寸急剧降低，如亚10mm尺寸，GAA Si NWFET结构存在的诸多效应亟待解决，包括局部高电流密度、短沟道效应、强场效应、量子效应、寄生电阻／电容的影响、工艺参数引起的涨落问题、器件泄露电流、亚阈斜率等性能影响突出，特别是NWFET面对E