DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sdiansean

【摘要】

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研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成

【作者】

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郑云光张世林沙亚男郭维廉李树荣张振宇唐明浩黄杰

【机构】

：

天津大学电子信息工程学院,河北半导体研究所

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

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光电负阻器件光学双稳态光控正弦波振荡器光电耦合器 photonegative resistance deviceoptical bistabilityli

【基金项目】

：

天津市自然科学基金

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研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器(PCDPLBT).

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