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以高纯GeCl4为原料,采用共同蒸馏工艺深度脱除GeCl4中的含氢杂质,为三级脱氢工艺制备光纤用GeCl4提供技术参考和支持。研究表明,添加HCl气体比添加盐酸共同蒸馏效果好,当控制温度350-354 K、静置时间36 h以上时,共同蒸馏可取得较好的脱氢效果,所得GeCl4的OH杂质可降低至0.76×10^-6。