【摘 要】
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基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,北京微电子技术研究所,
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基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路。一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性。PMOS串联开关用于将信号传输到下一级。仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41V,建立时间为0.85μs。
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