【摘 要】
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南京电子器件研究所近期研制出一款Ku波段氮化镓(GaN)功率模块,该模块是基于本所的0.25μm 101.6 mm GaN工艺制作的Ku波段16 W功放单片,采用同样的2路功分/功合结构作为输入
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南京电子器件研究所近期研制出一款Ku波段氮化镓(GaN)功率模块,该模块是基于本所的0.25μm 101.6 mm GaN工艺制作的Ku波段16 W功放单片,采用同样的2路功分/功合结构作为输入端分路器和输出端功合器,将两个功放单片进行合成,最终获得输出功率大于30W的功率放大器模块。
Nanjing Institute of Electronic Devices recently developed a Ku-band GaN power module, the module is based on the 0.25μm 101.6 mm GaN process Ku band 16 W amplifier monolithic, using the same 2-way power Split / Gong structure as the input splitter and the output of the power adapter, the two amplifier monolithic synthesis, the final output power greater than 30W power amplifier module.
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