【摘 要】
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主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟
【机 构】
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东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料重点实验室
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主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟的方法进行优化.重点讨论外延电阻率及厚度,栅的长度和PBODY结深对VDMOS器件BV和Rdson的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳结构参数.同时还分析了集成电路中的VDMOS与普通分立VDMOS器件在器件结构设计上的主要差别.
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