【摘 要】
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采用常压烧结技术,分别对Ti/Sn/C和Ti/Sn/TiC两种配料,在950-1250℃温度范围、保温15-360 min,真空条件下进行烧结。结果表明,两种配料均在1200℃短时间内合成了高纯度Ti2SnC
【机 构】
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北京交通大学机械与电子控制工程学院材料研究所
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采用常压烧结技术,分别对Ti/Sn/C和Ti/Sn/TiC两种配料,在950-1250℃温度范围、保温15-360 min,真空条件下进行烧结。结果表明,两种配料均在1200℃短时间内合成了高纯度Ti2SnC粉。利用X射线衍射(XRD),能量色散谱仪(EDS)及扫描电镜(SEM)对Ti2SnC粉末进行了表征,并对Ti2SnC的形成机制进行了分析。所制备的Ti2SnC为片状颗粒,表面光滑,颗粒尺寸小于10μm,厚度约为1-2μm。Ti2SnC的形成机制是,在Ti-Sn-C反应系统中,Ti和Sn先反应形成Ti-Sn化合物;然后是Ti和C反应形成TiC;最后,Ti-Sn化合物和TiC反应形成Ti2SnC。此反应机制进一步由Ti-Sn-TiC反应系统验证。
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