半导体材料研究的进展

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半导体研究工作应該說是在1833年法拉第观察到硫化銀电阻率之負温度系数开始的。40年以后,F.布朗发現了硫化鉛与黃铁矿的整流現象;在此之前;W.史密斯也发現过同样的現象。1879年提出了霍尔效应以后,对半导体的研究起了推动作用。1833年美国又发明了硒整流器,1906年A.波希丁納研究了有机半导体蒽的光电导。1907至1909年,K.白特克及J.科尼斯貝格系統地利用霍尔效应研究了CuI等半导体。1924年开始,硒和氧化亚銅整流器巳进入了工业性貭的制造。自从1931年量子力学有了其独自的立場后,威尔逊以能带模型的形式为現代半导体理 Semiconductors research should start with the negative temperature coefficient at which Faraday observed silver sulfide resistivity. Forty years later, F. Brown discovered the rectification of lead and pyrite; before that, Smith found the same phenomenon. After the Hall effect was proposed in 1879, the study of semiconductors played a catalytic role. Selenium rectifiers were invented in the United States in 1833. In 1906, Bozidina studied the photoconductivity of anthracene in organic semiconductors. From 1907 to 1909, K. White and J. Koenigsberg systematically used the Hall effect to study semiconductors such as CuI. Since 1924, selenium and cuprous oxide rectifiers have entered the manufacture of industrial products. Since quantum mechanics had its own position in 1931, Wilson used the form of a band model for modern semiconductors
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