【摘 要】
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片式氧传感器在生产过程中需要对YSZ与Al2O3陶瓷进行叠层共烧,为保证内部多孔铂电极的功能,共烧温度不能高于1500 ℃.实验采用溶剂热法制备纳米级YSZ粉体,通过调节反应温度与
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院、先进土木工程材料教育部重点实验室
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片式氧传感器在生产过程中需要对YSZ与Al2O3陶瓷进行叠层共烧,为保证内部多孔铂电极的功能,共烧温度不能高于1500 ℃.实验采用溶剂热法制备纳米级YSZ粉体,通过调节反应温度与反应物浓度降低合成YSZ粉末的烧结温度,使其1400 ℃烧结致密度达99.1%,500℃电阻率仅为11.5Ω·m;之后通过将Al2O3与CaO、MgO、SiO2等烧结助剂混合方式降低Al2O3的烧结温度,并通过调整Al2O3粉体中α相与γ相的比例使其烧结收缩率与YSZ陶瓷匹配,500℃电阻率为1.3×10^4
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