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理论研究了非对称双势垒结构中光学声子发射率和光学声子辅助隧穿电流.对AlxGa1-xAs/GaAs/AlyGa-yAs结构作了数值计算,得到对声子辅助隧穿实验电流峰的一种新的理论上的合理辨认.对宽量子阱理论上只有一个声子辅助峰,且接近阱内LO声子的能量.发现界面光学(IO)声子辅助隧穿是主要的.理论结果能正确解释实验.