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目的：通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷。方法：通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉（CdGeAs2）晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量。结果：根据计算锗占砷位晶胞能量最低。结论：锗占砷位是最可能的吸收缺陷,这与国外用EPR推测出的缺陷类型相一致,同时计算得出铬掺杂能够有效地降低晶体在中红外区的吸收,进而克服了晶体在中红外区强吸收。