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在8～12μm红外范围内Ge基底上设计和制备的一面宽带减反膜和一面介质＋DLC膜。薄膜材料Ge、ZnS和YF3由电子束沉积法制得，DLC膜由PEVCD制得。阐述了利用非均匀膜理论设计红外减反射薄膜的方法，所设计的红外减反射膜膜系优化结果较为理想。经过研究分析我们选择了氟化钇来进行此项研究并加以RF源（射频源）辅助镀膜，并用计算机修正来矫正真空镀膜法生产宽带增透膜时实验值与理论值存在的偏差。取得了良好的效果。用沈科仪镀膜机采用PECVD镀制DLC膜方面的也有很好的效果。