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本文叙述了利用电子束掺杂技术形成的浅结,最浅达504（?）,载流子峰值浓度大于1×1020/cm3,其衬底可以是低浓度的,也可以是高浓度的(小于或等于1×1019/cm3);并利用电子束掺杂技术试制成功硅平面晶体三极管,其性能良好,要使器件的各种参数更加完美,可以通过工艺调整加以实现。
电子束掺杂的应用——高浓度浅结的形成
【摘 要】
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本文叙述了利用电子束掺杂技术形成的浅结,最浅达504（?）,载流子峰值浓度大于1×1020/cm3,其衬底可以是低浓度的,也可以是高浓度的(小于或等于1×1019/cm3);并利用电子束掺杂技
【机 构】
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中国科学院半导体研究所电子束加工组,中国科学院半导体研究所电子束加工组,中国科学院半导体研究所电子束加工组,中国科学院半导体研究所电子束加工组,中国科学院半导体研究所电子束加工组,中国科学院半导体研究
【出 处】
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微细加工技术
【发表日期】
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1984年04期
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