【摘 要】
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据2004年第12期《Journal of Lightwave Technology》报导,我国台湾交通大学的研究人员用InGaAsP/InGaP应变补偿多量子阱(MOWs)制造出高性能垂直腔面发射激光器(VCSELs)。他
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据2004年第12期《Journal of Lightwave Technology》报导,我国台湾交通大学的研究人员用InGaAsP/InGaP应变补偿多量子阱(MOWs)制造出高性能垂直腔面发射激光器(VCSELs)。他们通过理论计算优化了InGaAsP/InGaP MQW 的组份,采用光致发光优化了生长条件。所制造出的这些垂直腔面发射激光器具
According to the “Journal of Lightwave Technology”, No. 12, 2004, researchers at Taiwan’s National Chiao Tung University fabricated high performance vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) using InGaAsP / InGaP strain compensated multiple quantum wells (MOWs). They optimized the composition of the InGaAsP / InGaP MQW by theoretical calculations and optimized the growth conditions using photoluminescence. These manufactured vertical cavity surface emitting laser devices
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