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锡球拾放技术是BGA植球的关键技术，真空植球技术适用于BGA芯片或基板植球。真空植球法易发生丢球和锡球被压变形两种植球缺陷。因此有必要对真空植球法关键技术进行分析和改进，以改善植球质量。丢球主要发生在锡球吸取过程，分析吸球过程，为真空植球头的功率设计给出了参考。锡球被压变形发生在植球过程，根据植球时锡球的受力情况，给出了锡球极限压力的计算方法。在此基础上，针对植球缺陷提出一种新的植球压力实时压力控制方案，提升植球良率。在自主研制的BGA植球机上实验并得到了预期效果。