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研究了氩气气氛下稀土氧化物对SiC形成的影响。研究得出，石墨的理想加入量为过量20％时，稀土氧化物能够在一定程度上促进碳化硅的形成。不同种类的稀土氧化物，其催化效果不同，稀土氧化物能够改变碳化硅晶须的形貌，主要表现在改变碳化硅晶须的长径比。
稀土氧化物对碳化硅形成的影响
【摘 要】
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研究了氩气气氛下稀土氧化物对SiC形成的影响。研究得出，石墨的理想加入量为过量20％时，稀土氧化物能够在一定程度上促进碳化硅的形成。不同种类的稀土氧化物，其催化效果不同，稀土
【机 构】
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武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室湖北武汉430081
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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2007年A01期
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