【摘 要】
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首先采用射频溅射在单晶硅（Si）上制备氧化锌（ZnO）薄膜,作为生长ZnO纳米棒的晶种层,再在水热条件下生长ZnO纳米棒。X射线衍射、X射线能量色散谱,扫描电镜及室温光致发光谱对样品的
【机 构】
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中国石油大学（华东）物理科学与技术学院
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首先采用射频溅射在单晶硅（Si）上制备氧化锌（ZnO）薄膜,作为生长ZnO纳米棒的晶种层,再在水热条件下生长ZnO纳米棒。X射线衍射、X射线能量色散谱,扫描电镜及室温光致发光谱对样品的物相结构、成分、表面微观形貌和晶体缺陷进行了表征。结果表明合成的ZnO纳米棒是六方纤锌矿结构,长径比较高,结晶良好。研究了ZnO纳米棒/单晶Si传感器在空气和酒精气体中的电压-电流（I-V）特性,阻抗谱及响应-恢复时间。该传感器在＋6V的偏置电压下,其电阻在0.08g/L酒精气体中下降71%,响应时间小于1min,可以作为一
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