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以KMnO4和Mn（OAc）2.4 H2O为原料,经液相沉淀法制备α-MnO2,通过添加不同浓度的氯化钾调节α-MnO2孔道内支撑钾离子的含量。该方法有效地提高了α-MnO2晶体中钾离子含量（质量分数从1.70%提高到2.99%）。随着钾离子含量增大,尽管α-MnO2比表面积呈下降趋势（从253 m2/g下降到183 m2/g）,但比电容从143 F/g提高到164 F/g。这说明钾离子含量的提高增加了电极材料中赝电容活性位,加强了电解液质子或碱性离子进入孔道结构中与氧化锰晶体反应,从而提高了电极比电容值