Cs掺杂的高性能(NH2CH=NH2)1-xCsxPbI3光电探测器

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FAPbI3有机无机杂化钙钛矿光电探测器还存在一些问题,合成纯α相光敏钙钛矿需要较高的退火温度(150~160℃),不利于柔性器件的制备;另外,在常温下,FAPbI3容易发生α→δ的相变,器件的空气稳定性很差。本文制备了Cs掺杂的二极管型FA1-xCsxPbI3光电探测器。结果表明,Cs的掺杂一方面有效降低了合成纯α相FA钙钛矿的退火温度,另一方面提高了器件性能以及空气稳定性。对比不同Cs掺杂浓度的器件性能,发现掺杂摩尔分数为10%时,器件性能最优,其开关比可达1.6×10^5,响应速度达到7.
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