【摘 要】
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分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能。测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说
【机 构】
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电子十三所!石家庄050051,电子十三所!石家庄050051,电子十三所!石家庄050051
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分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VDMOS器件。验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能。测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说明理论分析准确,工艺过程控制较好
Some key parameters that affect the frequency performance of VDMOS devices are analyzed. A VDMOS device with 10W output power and 8dB gain is developed. VDMOS devices verify the working performance in this band. Test results and design indicators and theoretical calculations are basically consistent, indicating that the theoretical analysis is accurate, the process control is better
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