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本文研究了重离子辐照前后SiO2／Si结构光学性质的变化。实验选择初始能量为414MeV，不同辐照总剂量的Sn离子，在室温下辐照氧化层厚度为36nm和90nm的SiO2／Si结构。并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO2／Si结构的光致发光谱（PL）谱。在相同的测试温度下，随着辐照总剂量的改变，峰位发生了移动，峰的强度也发生了改变；在相同的辐照总剂量下，随着测试温度的改变，峰位发生移动。由于受束缚激子发光的影响，在测试温度为80K时出现了一个新的光致发光峰。