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提出一种低功耗全CMOS电压基准电路，它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0．5um n阱硅栅工艺模型．通过Hspice软件对电路进行了仿真，在-20- ＋100℃）g．范围内温度系数为33ppm／℃，电路工作在3～5V电压下，静态功耗仅为10-5uA。
一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计
【摘 要】
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提出一种低功耗全CMOS电压基准电路，它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0．5um n阱硅栅工艺模型．通过Hspice软件对电路进行了仿真，在-20-
【机 构】
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辽宁工程技术大学电子与信息工程学院,辽宁锦州华光电力电子集团公司高可靠产品研究所
【出 处】
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科技信息
【发表日期】
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2009年7期
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