论文部分内容阅读
本文在对CRT偏转线圈进行实测的基础上,运用南开大学丁守谦教授发明的双线圈加测试原理并将其加以推广,使双线圈测在测量磁场参数H2、H4、V2、V4时,沿X轴或Y轴能以任意步长进行测量,并根据偏转线圈的特殊形状,当测头越接近开口部,沿X轴或Y轴的测点也越多、跨距也越大,这样 就克服了所测数据只适应近轴范围的不足,充分发挥了双线圈回归测试原理适应较远轴范围的特性。