【摘 要】
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采用臭氧/正硅酸乙酯(O3/TEOS)基前驱物,通过次大气压化学气相沉积(SACVD)在深宽比高于8:1的STI和深宽比高于6:1的PMD应用中展现了优异的填充性能,并提高了器件的驱动电流,改
【机 构】
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Applied Materials Inc.,Applied Materials Inc.,Applied Materials Inc.,Applied Materials Inc.,
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采用臭氧/正硅酸乙酯(O3/TEOS)基前驱物,通过次大气压化学气相沉积(SACVD)在深宽比高于8:1的STI和深宽比高于6:1的PMD应用中展现了优异的填充性能,并提高了器件的驱动电流,改善了PN结漏电。此外,在器件沟道区施加局部应力的方法也得到了证实。
Ozone / TEOS-based precursors, SACVD by sub-atmospheric pressure chemical vapor deposition (SACVD) in STIs with aspect ratios higher than 8: 1 and PMD applications with aspect ratios higher than 6: 1 Show excellent filling performance, and improve the driving current of the device, improve the PN junction leakage. In addition, the method of applying local stress in the channel region of the device has also been confirmed.
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