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利用反溅，发展了粉末溅射工艺；指出了粉末溅射对研制稳定的薄膜气敏元件的重要性；给出了粉末掺杂比与薄膜掺杂比关系的实验结果；给出了SnO2（100-x）／CeO2（x）最佳灵敏度的掺杂x％的范围；给出了灵敏度随膜厚变化的特征，以及一些薄膜的最佳膜厚l^x的数值；给出了响应时间随膜厚变化的规律．
粉末溅射金属氧化物气敏薄膜和元件Ⅰ．粉末溅射金属氧化物气敏薄膜
【摘 要】
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利用反溅，发展了粉末溅射工艺；指出了粉末溅射对研制稳定的薄膜气敏元件的重要性；给出了粉末掺杂比与薄膜掺杂比关系的实验结果；给出了SnO2（100-x）／CeO2（x）最佳灵敏度的掺杂x％的范围；给
【机 构】
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山东大学化学与化工学院,济南半导体实验所,山东大学物理学院
【出 处】
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山东大学学报(工学版)
【发表日期】
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2008年5期
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