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利用光谱学手段研究了CH3NH3PbI3薄膜中的放大自发辐射效应。首先,从随温度变化的光致发光(Photoluminescence,PL)光谱中观察到了CH3NH3PbI3从正交相到四方相的相变。在低于相变温度时, PL过程优先发生在四方相上。在较高的激发光强下, 正交相的PL峰由于四方相上激子浓度的饱和而逐渐显现,导致了放大自发辐射现象。然而, 放置15天后的CH3NH3PbI3薄膜中激光效应却出现在了四方相上, 表明CH3NH3PbI3薄膜中的缺陷态能够自发湮灭, 从而增强了四方相在低温下的光辐射能力。