【摘 要】
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本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。
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本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。
This paper designs and develops a high-performance silicon bipolar transistor with hFE≈300 at liquid nitrogen temperature (77K) and hFE = 21.7 at 10K, which is better than the literature reported [7]. The device IC, IB-VBE characteristics and hFE-1 / T characteristics at 77K were measured and a new theoretical discussion of the interpretation of these curves was made.
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