【摘 要】
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三氯氢硅中痕量磷的测定,一般以水解法富集,由于只能取样1毫升,灵敏度不够。对于含量较低的试样,我们增加取样量,在三氯氢硅中加入络合剂三溴化硼-氯仿,在蒸发器内,40～50℃温
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三氯氢硅中痕量磷的测定,一般以水解法富集,由于只能取样1毫升,灵敏度不够。对于含量较低的试样,我们增加取样量,在三氯氢硅中加入络合剂三溴化硼-氯仿,在蒸发器内,40～50℃温度,用氮气驱除三氯氢硅,残存的硅用氢氟酸赶尽,磷被络合剂络合留在残渣内,这样可使取样量增加到10～30毫升,能满足10~(-8)～5×10~(-7)%磷含量的测定。
Determination of trichlorosilane trace phosphorus, generally enriched by hydrolysis, due to sampling only 1 ml, the sensitivity is not enough. For the lower content of the sample, we increase the sample volume, trichlorosilane added complexing agent boron tribromide - chloroform, in the evaporator, 40 ~ 50 ℃ temperature, with nitrogen to get rid of trichlorosilane, the remaining Of the silicon with hydrofluoric acid rush, phosphorus complexation complex left in the residue, so that the sample volume can be increased to 10 to 30 ml, to meet the 10 -8 (-8) 5 × 10 -7 Determination of% phosphorus content.
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