【摘 要】
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为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40nm CMOS工艺与SMIC 28nm PS CMOS工艺
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(U1613202,U1609210)
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为了改进VBO接口电路静电放电(ESD)防护器件性能,提出2种新的ESD防护器件:栅二极管与面积效率二极管触发可控硅整流器(SCR).采用SMIC 40nm CMOS工艺与SMIC 28nm PS CMOS工艺制备传统二极管、栅二极管、面积效率SCR;通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析电流密度;通过传输线脉冲测试(TLP)方法,测试不同结构ESD防护器件的Ⅰ-Ⅴ特性.栅二极管的ESD鲁棒性为19.7mA/μm,导通电阻为1.28Ω,相较于传统二极管降低了38.8%.面积效率二极管触发S
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