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利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边峰室温光荧光半高宽为 4 8me V ,小于在 830℃下生长的 Ga N样品 .在ω扫描模式下 ,X射线衍射表明高温生长的 Ga N具有较小的 (0 0 2 )峰半高宽 2 1′.可以看出 ,尽管立方 Ga N是亚稳态 ,高生长温度仍然有利于其晶体质量的提高 .本文对 Ga N生长中生长温度和生长速度之间的关系作了讨论