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在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用C型体接触结构,消除边缘寄生晶体管.结果表明,在经受1×106 rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.
一种抗总剂量辐照的NMOSFETs
【摘 要】
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在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用C型体接触结构,消除边缘寄生晶体管.结果
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2004年4期
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