AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a86406186

【摘要】

：

对用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种

【作者】

：

闫鹏飞隋曼龄

【机构】

：

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2008年S1期

【关键词】

：

氮化镓位错带状缺陷拉应力 GaN dislocation band defect tensile stress

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对用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长的紫外光发光二极管(UV-LED)圆晶片进行了透射电子显微镜(TEM)观察研究。发现在外延膜的表面交错存在着一种宽300～700nm、长达数十微米以上的带状缺陷。这种缺陷存在于AlGaN/InGaN组成的多层量子阱区,它还能作为位错发射源在(0001)面和{1122}面上产生大量的位错环。对材料的发光性能造成严重影响。根据位错滑移和多层膜的成分来看,这种缺陷是由于拉应力引起的。

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